Kniga-Online.club
» » » » БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ФО)

БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ФО)

Читать бесплатно БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ФО). Жанр: Энциклопедии издательство неизвестно, год 2004. Так же читаем полные версии (весь текст) онлайн без регистрации и SMS на сайте kniga-online.club или прочесть краткое содержание, предисловие (аннотацию), описание и ознакомиться с отзывами (комментариями) о произведении.
Перейти на страницу:

  А. Н. Лобанов.

Рис. 4. Фронтальный план памятника Минину и Пожарскому (Москва, Красная площадь), составленный по фототеодолитным снимкам.

Рис. 2. к ст. Фототеодолитная съёмка.

Рис. 1. к ст. Фототеодолитная съёмка.

Рис. 3. План поверхности водного потока модели гидротехнического сооружения, составленный по снимкам, полученным спаренной фотокамерой. Горизонтали проведены через 1 мм .

Рис. 5. Фронтальный план Трапезной церкви Киево-Печерской лавры, составленный по фототеодолитным снимкам.

Фототерапия

Фототерапи'я, то же, что светолечение .

Фототермомагнитный эффект

Фототермомагни'тный эффе'кт, электронный термомагнитный эффект, возникновение в однородном полупроводнике, помещенном в магнитное поле Н, при облучении его электромагнитным излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном направлении. В результате поглощения излучения носителями тока в полупроводниках изменяется их средняя энергия. Такой «разогрев» носителей неоднороден и порождает поток более горячих носителей в направлении распространения излучения. Т. к. в этом направлении полупроводник электрически разомкнут, то в противоположном направлении появляется компенсирующий поток более холодных носителей. Время их свободного пробега зависит от энергии, поэтому перпендикулярное к этим потокам магнитное поле по-разному отклоняет горячие и холодные носители, что приводит к появлению эдс.

  В отличие от Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф. э. возникает независимо от наличия градиента температуры кристаллической решётки полупроводника и градиента концентрации носителей. Эдс имеет наибольшую величину в полупроводниках с малой эффективной массой носителей тока (например, в InSb при низких температурах). Используется для создания высокочувствительных малоинерционных приёмников СВЧ- и инфракрасного излучения , применяемых в радиоастрономии, космических исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации.

  Лит.: Электронный термомагнитный эффект, «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, в. 6, с. 994.

  Э. М. Эпштейн.

Фототипия

Фототи'пия (от фото... и греч. týpos – отпечаток, форма), способ безрастровой плоской печати иллюстраций, основанный на изменении физико-химических свойств светочувствительного слоя. Ф. была изобретена в 1855 франц. химиком А. Пуатвеном. Для изготовления печатной формы на основу (пластинку или фольгу) наносят светочувствительный раствор, в состав которого входят желатина, дихромат калия или аммония, и высушивают полученный слой. На этот слой копируют полутоновый негатив, в результате чего отдельные участки слоя задубливаются в разной степени. Затем пластину промывают водой для удаления непрореагировавшей соли; при этом слой набухает, приобретает складчатую структуру (явление ретикуляции); углубления между складками представляют собой печатающие элементы формы (рис. ). На участках слоя, подвергшихся незначительному воздействию света, складки едва заметны, углубления между ними незначительны. При печатании краска заполняет только углубления между складками и на бумагу передаётся слой краски незначительной толщины. По мере увеличения степени задубленности слоя увеличиваются размер складок и глубина впадин между ними, следовательно, увеличивается толщина слоя краски, передаваемой на бумагу, а также суммарная запечатанная площадь. На максимально задубленных участках (в тёмных местах изображения) печатная краска покрывает всю поверхность слоя.

  Передача тональностей изображения в Ф. осуществляется путём изменения толщины слоя краски и размеров печатающих элементов, т. е. Ф. сочетает особенности глубокой печати и растровой. Для печати используются плоскопечатные машины, производительность которых до 1000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы около 1500 оттисков. Применяется также ротационная Ф. (как контактная, так и офсетная). В СССР разработаны состав и режим изготовления светочувствительного слоя на основе желатины, очувствлённой дихроматами, пригодного для использования в обычных офсетных однокрасочных машинах (см. Печатная машина ). В качестве основы печатной формы используются листы алюминия толщиной 0,6–0,8 мм, а также тонкая фольга (для печати на малоформатных офсетных машинах). Нанесение светочувствительного слоя механизировано; производительность машин до 5000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы – около 10 тыс. оттисков.

  Ф. используется для воспроизведения с высокой точностью сложных художественных оригиналов (карандашные рисунки, фотографии, произведения масляной и акварельной живописи и т.п.), а также для иллюстрирования изданий, выпускаемых небольшими тиражами, но требующих большой точности воспроизведения иллюстраций. Широкому применению Ф. препятствует небольшая производительность.

  Лит.: Рудомётов М. Д., Опыт систематического курса по графическим искусствам, т, 1, СПБ, 1898; Котик Р. А., Павленко Л., Соколов П., Об идентичности оттисков при фототипии, «Полиграфия», 1974, №6.

  Р. А. Котик.

Микрофотографии участков печатной формы (до нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — углубления между складками; 2 — 2 складки.

Микрофотографии участков печатной формы (после нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — краска.

Фототиристор

Фототири'стор, тиристор , перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс ). В результате через р – n -переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.

  Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n -cтруктурой, обычно из кремния , расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n -эмиттером и с освещаемой р -базой.

  Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.

  Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм ) порядка 1–102 мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,

  В. М. Курцин.

Фототранзистор

Фототранзи'стор, транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего ; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф. представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из Ge или Si, в которой при помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.

Перейти на страницу:

БСЭ БСЭ читать все книги автора по порядку

БСЭ БСЭ - все книги автора в одном месте читать по порядку полные версии на сайте онлайн библиотеки kniga-online.club.


Большая Советская Энциклопедия (ФО) отзывы

Отзывы читателей о книге Большая Советская Энциклопедия (ФО), автор: БСЭ БСЭ. Читайте комментарии и мнения людей о произведении.


Уважаемые читатели и просто посетители нашей библиотеки! Просим Вас придерживаться определенных правил при комментировании литературных произведений.

  • 1. Просьба отказаться от дискриминационных высказываний. Мы защищаем право наших читателей свободно выражать свою точку зрения. Вместе с тем мы не терпим агрессии. На сайте запрещено оставлять комментарий, который содержит унизительные высказывания или призывы к насилию по отношению к отдельным лицам или группам людей на основании их расы, этнического происхождения, вероисповедания, недееспособности, пола, возраста, статуса ветерана, касты или сексуальной ориентации.
  • 2. Просьба отказаться от оскорблений, угроз и запугиваний.
  • 3. Просьба отказаться от нецензурной лексики.
  • 4. Просьба вести себя максимально корректно как по отношению к авторам, так и по отношению к другим читателям и их комментариям.

Надеемся на Ваше понимание и благоразумие. С уважением, администратор kniga-online.


Прокомментировать
Подтвердите что вы не робот:*
Подтвердите что вы не робот:*