Дж. Кеоун - OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей
+ Ikf=80rn Xtb=1.5 Br=4.977 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=2.5 Cjc=9.728p
+ Mjc=.5776 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=8.063p Mje=.3677 Vje=.75 Tr=33.42n
+ Tf = 179.3p Itf = .4 Vtf = 4 Xtf = 6 Rb=10)
National pid=66 case=T092
88-09-09 bam creation
Библиотека параметров моделей диодовНиже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для диодов. Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Параметры для большинства компонентов задавались с использованием опции Parts.
Компоненты могут также задаваться без опции Parts следующим образом:
IS Номинальный ток насыщения RS Для стабилитронов: номинальное сопротивление при малом сигнале и номинальном рабочем токе IB Для стабилитронов: устанавливается равным номинальному току насыщения IBV Для стабилитронов: при номинальном рабочем токе IBV равно установленному напряжению зенеровского пробояСтабилитроны
Суффикс «А» не изменяет параметров стабилитронов (то есть прибор 1N750A имеет те же параметры, что и 1N750).
.model D1N750 D (Is = 880.5E-1S Rs=.25 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 Сjo = 175p M=.5516
+ Vj = .75 Fc= .5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989
+ Ibv1 = 1.9556m Nbv1 = 14.976 Tbv1 = -21.277u)
Motorola pid=lN750 case=DO-35
39-9-18 gjg
Vz = [email protected] 20mA, [email protected], [email protected], Zz = [email protected]
Диоды с емкостью, зависящей от напряжения (варикапы)
Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента и задавались с использованием опции Parts.
.model MV2201 (Is=1.365p Rs = 1 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 jo=14.93p M=.4261
+ Vj = .75 Fc =.5 Isr=16.02p Nr=2 Bv=2 Ibv=10u)
Motorola pid=MV2201 case=182-03
88-09-22 bam creation
Ключевые диоды
.model D1N4148 D(Is = 2.682n N = 1.836 Rs=.5664 Ikf = 44.17m Xti = 3 Eg=1.11
+Tt=11.54n)
Cjo=4p M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv = 100u
.model MBD101 D(Is=192.1p Rs=.1 1kf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Сjo = 893.8f
+M=98.29m Vj = .75 Fc=.5 Isr=16.91n Nr=2 Bv=5 Ibv=10u)
Motorola pid=MBD101 case=182-03
88-09-22 bam creation
Мощные диоды
+.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI = 3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0Е-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
Библиотека параметров модели полевого транзистораНиже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для полевых транзисторов. Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Параметры для большинства компонентов задавались с использованием опции Parts.
.model J2N3819 NJF (Beta=1.304m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=2.25m Vto=-3
+ Vtotc = -2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti = 3 Alpha=311.7
+ Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18
+ Af=1)
National pid=50 case=T092
88-08-01 run BVmin=25
.model J2N43 93 NJF(Beta=9.109m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=6m Vto=-1.422
+ Vtotc=-2.5m Is = 205.2f Isr=1.988p N=1 Nr = 2 Xti=3 Alpha=20.98u
+ Vk=123.7 Cgd=4.57p M=.4069 Pb=1 Fc=.5 Cgs=4.06p Kf=123E-18
+ Af = 1)
National pid=51 case=TO18
88-07-13 bam BVmin=40
Библиотека параметров моделей igbt-транзисторовПараметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных. Параметры этого компонента задавались с использованием программ Parts и Optimizer:
.MODEL IXGH40N60 NIGBT
+ TAU=287.56E-9
+ KP=50.034
+ AREA=37.500Е-6
+ AGD=18.750Е-6
+ VT=4.1822
+ KF=.36047
+ CGS = 31.942E-9
+ COXD = 53.188E-9
+ VTD=2.6570
Библиотека подсхем операционных усилителейНиже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для линейных подсхем ОУ.
Параметры в библиотеке ОУ были получены из справочных данных для каждого компонента. Используемая макромодель подобна ранее описанной [см. Boyle, Graeme, Barry Cohn, Donald Pederson, and James Solomon, 1974, Macromodeling of integrated circuit operational amplifiers, IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-9, no. 6 (December)] Отличия от этой модели вызваны ограничениями, наложенными на выходной каскад. Он был изменен, чтобы уменьшить генерируемые токи для ограничения выходного напряжения и тока короткого замыкания. Параметры модели ОУ соответствуют комнатной температуре, температурные изменения в модели не отражаются. Этот библиотечный файл содержит модели для номинального устройства и не учитывает наихудший случай:
connections: non-inverting input
| inverting input
| | positive power supply
| | | negative power supply
| | | | output
| | | | |
.subckt LM324 1 2 3 4 5
c1 11 12 2.887E-12
c2 6 7 30.00E-12
dc 5 5 3 dx
de 54 5 dx
dip 90 91 dx
din 92 90 dx
dp 4 3 dx
egnd 99 0 poly(2)(3,0)(4,0) 0 .5 .5
fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 21.22E6 -20E6 20E6 20E6 -20E6
ga 6 0 11 12 188.5E-6
gcm 0 6 10 99 59.61E-9
iee 3 10 dc 15.09E-6
hlim 90 0 vlim 1K
q1 11 2 13 qx
q2 12 1 14 qx
r2 6 9 100.0E3
rc1 4 11 5.305E3
rc2 4 12 5.305E3
re1 13 10 1.845E3
re2 14 10 1.845E3
rcc 10 99 13.25E6
ro1 8 5 50
ro2 7 99 25
rp 3 4 9.082E3
vb 9 0 dc 0
vc 3 53 dc 1.500
ve 54 4 dc 0.65
vlim 7 8 dc 0
vlp 91 0 dc 40
vln 0 92 dc 40
.model dx D(Is = 800.0E-18 Rs = 1)
.model qx PNP (Is = 800.0E-18 Bf = 166.7)
.ends
connections: non-inverting input
| inverting input
| | positive power supply
| | | negative power supply
| | | | output
| | | | |
.subckt uA741 1 2 3 4 5
c1 11 12 8.661E-12
c2 6 7 30.00E-12
dc 5 53 dx
de 54 5 dx
dip 90 91 dx
din 92 90 dx dp 4 3 dx
egnd 99 0 poly(2)(3,0)(4,0) 0 .5 .5
fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 10.61E6 -10E6 10E6 10E6 -10E6
ga 6 0 11 12 188.5E-6
gcm 0 6 10 99 5.961E-9
iee 3 10 dc 15.16E-6
hlim 90 0 vlim 1K
q1 11 2 13 qx
q2 12 1 14 qx
r2 6 9 100.0E3
rc1 3 11 5.305E3
rc2 3 12 5.305E3
re1 13 10 1.836E3
re2 14 10 1.836E3
rcc 10 99 13.19E6
ro1 8 5 50
ro2 7 99 100
rp 3 4 18.16E3
vb 9 0 dc 0
vc 3 53 dc 1
ve 54 4 dc 1
vlim 7 8 dc 0
vlp 91 0 dc 40
vln 0 92 dc 40
.model dx D(Is=800.0E-18 Rs=1)
.model qx NPN(Is=800.0E-18 Bf=93.75)
.ends
connections: non-inverting input
| inverting input
| | positive power supply
| | | negative power supply
| | | | output
| | | | |
.subckt LF411 1 2 3 4 5
c1 11 12 4.196E-12
c2 6 7 10.00E-12
css 10 99 1.333E-12
dc 5 5 3 dx
de 5 4 5 dx
dip 90 91 dx
din 92 90 dx dp 4 3 dx
egnd 99 0 poly(2) (3,0) (4, 0) 0 .5 .5
fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 31.83E6 -30E6 30E6 30E6 -30E6
ga 6 0 11 12 251.4E-6
gcm 0 6 10 99 2.514E-9
iss 3 10 dc 170.0E-6
hlim 90 0 vlim 1K
j1 11 2 13 qx
j2 12 1 14 qx
r2 6 9 100.0E3
rd1 3 11 3.978E3
rd2 3 12 3.978E3
ro1 13 10 1.836E3
ro2 14 10 1.836E3
rcc 10 99 13.19E6
ro1 8 5 50
ro2 7 99 25
rp 3 4 15.00E3
rss 10 99 4 1.176E6
vb 9 0 dc 0
vc 3 53 dc 1.500
ve 54 4 dc 1.500
vlim 7 8 dc 0
vlp 91 0 dc 2 5
vln 0 92 dc 25
.model dx D(Is=800.0E-18 Rs=1m)
.model qx NJF(Is=12.50E-12 Beta=743.3E-6 Vto=-1)
.ends
Компараторы напряженияПараметры в этой библиотеке компараторов были получены из справочных данных на компоненты. Используемая макромодель была разработана MicroSim Corporation и введена в PSpice с использованием опции Parts. Другая макромодель компаратора (не использованная в данной книге) описана в работе (Getreu, Ian, Andreas Hadiwidjaja, and Johan Brinch, 1976, An integrated-circuit comparator macromodel, IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-11, no. 6 (December). В этой работе рассматриваются вопросы моделирования компараторов напряжения.
Параметры рассматриваемой нами модели компаратора соответствуют комнатной температуре, температурные изменения в модели не отражаются. Библиотечный файл содержит модели для номинального устройства и не учитывает наихудший случай.
connections: non-inverting input
| inverting input
| | positive power supply
| | | negative power supply
| | | | open collector output
| | | | | output ground
| | | | | |
.subckt LM111 1 2 3 4 5 6
f1 9 3 v1 1
iee 3 7 dc 100.0E-6
vi1 21 1 dc .45
vi2 22 2 dc .45
q1 9 21 7 qin
q2 8 22 7 qin
q3 9 8 4 qin
q4 8 8 4 qin
.model qin PNP(Is=800.0E-18 Bf = 833.3)
.model qmi NPN(Is=800.0E-18 Bf = 1002)
.model qmo NPN(Is=800.0E-18 Bf = 1000 Cjc=1E-15 Tr=118.8E-9)
e1 10 6 9 4 1
v1 10 11 dc 0
q5 5 11 6 qoc