Адриан Вонг - Справочник по параметрам BIOS
Обратите внимание: компания Award (сейчас входит в состав компании Phoenix Technologies) рекомендует отключить чередование банков SDRAM при использовании модулей 16 мегабит SDRAM. Причина заключается в том, что ранние модули 16 мегабит SDRAM нестабильно работают с чередованием. Все современные модули SDRAM поддерживают чередование без проблем.
SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка при передаче данных между банками SDRAM)
Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.
Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.
При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.
Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.
SDRAM Burst Len (Продолжительность операции SDRAM)
Обычные опции: 4, 8.
Эта функция BIOS позволяет управлять продолжительностью операции.
Если вы выберите значение 4, это значит, что операция может состоять максимум из четырех чтений или четырех записей.
Если вы выберите значение 8, это значит, что операция может состоять максимум из восьми чтений или восьми записей.
Так как начальное время ожидания CAS фиксировано для каждой операции, увеличение ее продолжительности приводит к тому, что удается записать или считать больше данных и с меньшей задержкой, чем при меньшей продолжительности. Поэтому операция с продолжительностью 8 выполняется быстрее, чем операция с продолжительностью 4.
Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы повысить производительность системы.
SDRAM Burst Length (Продолжительность операции SDRAM)
Обычные опции: 4, 8.
Эта функция BIOS позволяет управлять продолжительностью операции.
Если вы выберите значение 4, это значит, что операция может состоять максимум из четырех чтений или четырех записей.
Если вы выберите значение 8, это значит, что операция может состоять максимум из восьми чтений или восьми записей.
Так как начальное время ожидания CAS фиксировано для каждой операции, увеличение ее продолжительности приводит к тому, что удается записать или считать больше данных и с меньшей задержкой, чем при меньшей продолжительности. Поэтому операция с продолжительностью 8 выполняется быстрее, чем операция с продолжительностью 4.
Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы повысить производительность системы.
SDRAM CAS Latency Time (Время ожидания SDRAM CAS)
Обычные опции: 2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)
Эта функция BIOS управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.
Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Советуем уменьшить настройку данной функции до 2 или 2.5 циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.
Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если достигли предела при разгонке модулей SDRAM.
SDRAM Command Leadoff Time (Время действия команды SDRAM)
Обычные опции: 3, 4.
По определению, время действия команды – это период между добавлением адреса/команды и активацией банка памяти. Данная функция BIOS позволяет вам изменить время действия команды в соответствии с параметрами материнской платы и модуля памяти.
Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Command Leadoff Time на 3 (3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.
Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если ваша система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4 (4 цикла).
SDRAM Command Rate (Коэффициент команды SDRAM)
Обычные опции: 1T, 2T.
Эта функция BIOS позволяет выбрать задержку между получением сигнала Chip Select (Выбор чипа) и моментом, когда контроллер памяти должен начать отправку команд в банк памяти. Чем меньше значение, тем быстрее контроллер памяти сможет начать отправку команд в активированный банк памяти.
Если задержка команды SDRAM слишком велика, производительность может снизиться, так как контроллер памяти будет отправлять команды позже, чем необходимо.
Если задержка команды SDRAM слишком мала, контроллер памяти не сможет передать адреса вовремя, что приведет к потере и повреждению данных.
Рекомендуем выбрать значение 1T, чтобы улучшить производительность памяти. Если у вас возникнут проблемы, измените значение на 2T.
SDRAM Cycle Length (Длительность цикла SDRAM)
Обычные опции: 2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM CAS Latency Time. Она управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.
Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Советуем уменьшить настройку данной функции до 2 или 2.5 циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.
Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если вы достигли предела при разгонке модулей SDRAM.
SDRAM Cycle Time Tras/Trc (Tras/Trc для времени цикла SDRAM)
Обычные опции: 5/6, 6/8.
Эта функция BIOS определяет параметры tRAS и tRC для модуля памяти SDRAM.
tRAS обозначает Row Active Time (Время активации строки) для SDRAM, то есть период, в течение которого строка остается открытой для передачи данных.
tRC обозначает Row Cycle Time (Время цикла строки) для SDRAM, то есть минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.
Установка по умолчанию (6/8) является более стабильной и медленной, чем 5/6. При выборе значения 5/6 циклы проходят быстрее, но строка может оставаться открытой недостаточно долго, чтобы операция успела завершиться. Это может привести к потере данных и повреждению ячеек памяти.
Чтобы улучшить производительность памяти, выберите значение 5/6. Если ваша система будет работать нестабильно, измените настройку на 6/8.
SDRAM ECC Setting (Настройка SDRAM ECC)
Обычные опции: Disabled, Check Only, Correct Errors, Correct+Scrub.
Эта функция BIOS является усовершенствованным аналогом функции DRAM Data Integrity Mode. Она поставляется с новыми материнскими платами и управляет не только настройкой ECC для контроллера памяти.
Первый режим (Disabled) отключает опцию ECC для контроллера памяти. Выберите данную опцию, если вы не пользуетесь модулями памяти ECC.
Режим Check Only (Только проверять) позволяет контроллеру памяти искать ошибки. Контроллер памяти сможет находить (но не исправлять) ошибки одного и двух битов. Данный режим обеспечивает минимальную потерю производительности, но никак не улучшает интеграцию данных.
Режим Correct Errors (Исправлять ошибки) позволяет контроллеру памяти находить ошибки одного и двух битов, а также исправлять ошибки одного бита. Данный режим существенно снижает производительность системы. Преимущество состоит в том, что он улучшает интеграцию данных, а также исправляет ошибки одного бита.
Режим Correct+Scrub (Исправлять и записывать) позволяет контроллеру памяти находить ошибки одного и двух битов, исправлять ошибки одного бита, а также записывать в память новое, исправленное значение! Однако потеря производительности в данном режиме еще выше.
Следует отметить, что режим Check Only не имеет практического применения, так как он лишь выполняет проверку на наличие ошибок и показывает отчеты. Пользователи модулей памяти ECC должны обратить внимание на режимы Correct Errors и Correct+Scrub, так как они улучшают интеграцию данных путем исправления ошибок одного бита. Если вы работаете с обычными модулями памяти, выберите опцию Disabled.
